图片仅供参考,产品以实物为准
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1240pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 18-WFBGA |
供应商器件封装 | 18-BGA |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 18BGA |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 9.6 A |
RDS -于 | 14@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
典型上升时间 | 14 ns |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
典型下降时间 | 11 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9.6A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | 18-BGA |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 2.1W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1240pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 18nC @ 5V |
封装/外壳 | 18-WFBGA |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
系列 | PowerTrench® |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1240pF @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 5V |
FET 功能 | Logic Level Gate |
FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
封装/外壳 | 18-WFBGA |
功率 - 最大值 | 2.1W |
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